Das Prinzip des Feldeffekttransistors analog zur Elektronenröhre wurde bereits in den 1920er- und 1930er-Jahren thematisiert. Bei der Telefongesellschaft Bell war man dringend auf der Suche nach etwas, das als Verstärker die ineffizienten und unzuverlässigen Röhren ersetzen konnte. Walter Houser Brattain hatte bereits gemeinsam mit William B. Shockley versucht, Feldeffekttransistoren aus dem eher schlechten Halbleiter Kupferoxid zu bauen – ohne Erfolg.

Am 16. Dezember 1947 hatte er jedoch mit einer Anordnung von zwei Goldspitzen auf einem p-dotierten Germaniumplättchen, der Basis, erstmals Erfolg: Die Spannungsschwankung, die am Emitter angelegt wurde, konnte am Kollektor verstärkt wieder abgenommen werden. Daraus resultierte auch die bis heute übliche Bezeichnung der drei Elektroden eines bipolaren Transistors: Emitter, Basis und Kollektor.

Diese Transistorbauart wurde umgehend von solchen mit flächigen, legierten Halbleiterübergängen abgelöst, ebenso findet die beim Versuch Brattains genutzte Basisschaltung heute nur noch selten Verwendung, weil die Verstärkereigenschaften des Transistors in Emitter- und Kollektorschaltung für die meisten Anwendungen wesentlich vorteilhafter sind.

Doch lieferte diese erste Anordnung die Entdeckung des Transistoreffekts. Walter Brittain war dabei der Experimentator, der die tatsächlichen Versuchsanordnungen aufbaute, John Bardeen der Theoretiker, der die Ideen dazu lieferte, und William B. Shockley plante als Chef, was man mit den neuen Erfindungen machen könne. Shockley versuchte, den Ruhm für die Erfindung des Transistors alleine einzuheimsen, doch schließlich erhielten alle drei Forscher gemeinsam 1956 den Nobelpreis für Physik.

Die Erfindung des Transistors machte die Elektronik zu dem, was sie heute ist.

Quelle: funkamateur.de (Wolf-Dieter Roth)